GAN063-650WSAQ

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Automotive, AEC-Q101
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	650 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	34.5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	60mOhm @ 25A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	15 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1000 pF @ 400 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	143W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-3
पैकेज / मामला	TO-247-3

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स्टॉक की अवस्था: 166

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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	GAN063-650WSAQ Nexperia

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