ES6U2T2R

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Not For New Designs
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	110 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	700mW (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-WEMT
पैकेज / मामला	SOT-563, SOT-666

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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