2SJ438,Q(J

निर्माता भाग संख्या:	2SJ438,Q(J
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH TO220NIS
डाटा शीट:	2SJ438,Q(J डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	*
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	-
प्रौद्योगिकी	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	5A (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220NIS
पैकेज / मामला	TO-220-3 Full Pack

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