C2M0080120D

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी C2M0080120D chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	C2M™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Not For New Designs
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	36A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	20V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	98mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	62 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	+25V, -10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	950 pF @ 1000 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	192W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-3
पैकेज / मामला	TO-247-3

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 5436

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।