LSIC1MO120E0080

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	39A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	20V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	100mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 10mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	95 nC @ 20 V
वीजीएस (अधिकतम)	+22V, -6V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1825 pF @ 800 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	179W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-3
पैकेज / मामला	TO-247-3

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