FQT4N25TF

निर्माता भाग संख्या:	FQT4N25TF
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
डाटा शीट:	FQT4N25TF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	QFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	250 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	830mA (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.75Ohm @ 415mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	200 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2.5W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SOT-223-4
पैकेज / मामला	TO-261-4, TO-261AA

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