EPC2035

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	eGaN®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	45mOhm @ 1A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 800µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1.15 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	+6V, -4V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	115 pF @ 30 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Die
पैकेज / मामला	Die

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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