TP2640N3-G

निर्माता भाग संख्या:	TP2640N3-G
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
डाटा शीट:	TP2640N3-G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	400 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	180mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	15Ohm @ 300mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	300 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-92-3
पैकेज / मामला	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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लोकप्रिय मॉडल

	TP2635N3-G Roving Networks / Microchip Technology
	TP2640N3-G Roving Networks / Microchip Technology
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