FDV302P

निर्माता भाग संख्या:	FDV302P
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
डाटा शीट:	FDV302P डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	120mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.7V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	10Ohm @ 200mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	0.31 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	-8V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	11 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	350mW (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SOT-23
पैकेज / मामला	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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