PMF3800SN,115

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchMOS™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	260mA (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.5Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	850 pC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	40 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	560mW (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SC-70
पैकेज / मामला	SC-70, SOT-323

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लोकप्रिय मॉडल

	PMF370XN,115 Nexperia
	PMF3800SN,115 Rochester Electronics

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