C3M0120100K

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	C3M™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1000 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	22A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	15V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	155mOhm @ 15A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.5V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	21.5 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम)	±15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	350 pF @ 600 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	83W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-4L
पैकेज / मामला	TO-247-4

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