NTLJS1102PTAG

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	8 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.7A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.2V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	36mOhm @ 6.2A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	720mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±6V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1.585 pF @ 4 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	700mW (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-WDFN (2x2)
पैकेज / मामला	6-WDFN Exposed Pad

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स्टॉक की अवस्था: 36000

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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