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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK62N60W,S1VF

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TK62N60W,S1VF

निर्माता भाग संख्या: TK62N60W,S1VF
उत्पादक: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
डाटा शीट: TK62N60W,S1VF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी TK62N60W,S1VF chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाDTMOSIV
पैकेजTube
भाग की स्थितिActive
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली600 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस61.8A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस40mOhm @ 30.9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी3.7V @ 3.1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs180 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds6500 pF @ 300 V
फ़ीचर फ़ीचरSuper Junction
बिजली अपव्यय (अधिकतम)400W (Tc)
परिचालन तापमान150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTO-247
पैकेज / मामलाTO-247-3
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स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

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एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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