FQI8P10TU

निर्माता भाग संख्या:	FQI8P10TU
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	QFET®
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	100 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	530mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	15 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	470 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.75W (Ta), 65W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	I2PAK (TO-262)
पैकेज / मामला	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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लोकप्रिय मॉडल

	FQI8N60CTU Rochester Electronics
	FQI8P10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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