IPI11N03LA

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी IPI11N03LA chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	OptiMOS™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	11.5mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2V @ 20µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	11 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1358 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	52W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO262-3
पैकेज / मामला	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	IPI139N08N3GHKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI120N06S403AKSA1 Rochester Electronics
	IPI110N20N3GAKSA1 Rochester Electronics
	IPI100N06S3L04XK IR (Infineon Technologies)
	IPI16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPI100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPI120N06S4H1AKSA2 IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-04 IR (Infineon Technologies)
	IPI11N03LA IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-03 IR (Infineon Technologies)

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।