2SJ305TE85LF

निर्माता भाग संख्या:	2SJ305TE85LF
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
डाटा शीट:	2SJ305TE85LF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4Ohm @ 50mA, 2.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	92 pF @ 3 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	200mW (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SC-59
पैकेज / मामला	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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