RJ1G12BGNTLL

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.86mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	165 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	12500 pF @ 20 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	178W (Tc)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	LPTL
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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स्टॉक की अवस्था: 800

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	RJ1G12BGNTLL ROHM Semiconductor
	RJ1G08CGNTLL ROHM Semiconductor

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