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IR (Infineon Technologies) / IPP50R399CPHKSA1

IPP50R399CPHKSA1

निर्माता भाग संख्या: IPP50R399CPHKSA1
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
डाटा शीट: IPP50R399CPHKSA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाCoolMOS™
पैकेजTube
भाग की स्थितिDiscontinued at Digi-Key
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली560 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस9A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस399mOhm @ 4.9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी3.5V @ 330µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs23 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds890 pF @ 100 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)83W (Tc)
परिचालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजPG-TO220-3-1
पैकेज / मामलाTO-220-3
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

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