Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDB86102LZ
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FDB86102LZ
| निर्माता भाग संख्या: | FDB86102LZ |
| उत्पादक: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 |
| डाटा शीट: | FDB86102LZ डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | PowerTrench® |
| पैकेज | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| भाग की स्थिति | Active |
| FET प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 100 V |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 8.3A (Ta), 30A (Tc) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर) | 4.5V, 10V |
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 24mOhm @ 8.3A, 10V |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 3V @ 250µA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 1275 pF @ 50 V |
| फ़ीचर फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 3.1W (Ta) |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-263AB |
| पैकेज / मामला | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
स्टॉक की अवस्था: 5579600
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
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