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ROHM Semiconductor / BSM180C12P2E202

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BSM180C12P2E202

निर्माता भाग संख्या: BSM180C12P2E202
उत्पादक: ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
डाटा शीट: BSM180C12P2E202 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी BSM180C12P2E202 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTray
भाग की स्थितिActive
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीSiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस204A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी4V @ 35.2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs-
वीजीएस (अधिकतम)+22V, -6V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds20000 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)1360W (Tc)
परिचालन तापमान175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजModule
पैकेज / मामलाModule
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 4

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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