NDD04N50Z-1G

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी NDD04N50Z-1G chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	500 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.7Ohm @ 1.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.5V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	12 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	308 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	61W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	I-PAK
पैकेज / मामला	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 28275

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	NDD02N60ZT4G Rochester Electronics
	NDD03N40Z-1G Rochester Electronics
	NDD03N80ZT4G Rochester Electronics
	NDD03N60Z-1G Rochester Electronics
	NDD05N50ZT4G Rochester Electronics
	NDD04N50Z-1G Rochester Electronics
	NDD03N80Z-1G Rochester Electronics
	NDD03N50ZT4G Rochester Electronics
	NDD01N60-1G Rochester Electronics
	NDD02N60Z-1G Rochester Electronics

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।