UPA2803T1L-E2-AY

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	20A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	5.8mOhm @ 20A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	20 nC @ 4 V
वीजीएस (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2.45 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-DFN3333 (3.3x3.3)
पैकेज / मामला	8-VDFN Exposed Pad

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