IPB80R290C3AATMA2

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	800 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	17A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	290mOhm @ 11A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.9V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	117 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2.3 pF @ 100 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	227W (Tc)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO263-3-2
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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