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STMicroelectronics / STFI9N60M2

STFI9N60M2

निर्माता भाग संख्या: STFI9N60M2
उत्पादक: STMicroelectronics
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
डाटा शीट: STFI9N60M2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाMDmesh™ II Plus
पैकेजTube
भाग की स्थितिActive
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली600 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस5.5A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस780mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs10 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)±25V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds320 pF @ 100 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)20W (Tc)
परिचालन तापमान150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजI2PAKFP (TO-281)
पैकेज / मामलाTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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