SSM5H12TU(TE85L,F)

निर्माता भाग संख्या:	SSM5H12TU(TE85L,F)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
डाटा शीट:	SSM5H12TU(TE85L,F) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSIII
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.9A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.8V, 4V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	133mOhm @ 1A, 4V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1.9 nC @ 4 V
वीजीएस (अधिकतम)	±12V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	123 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	500mW (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	UFV
पैकेज / मामला	6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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