FCPF099N65S3

निर्माता भाग संख्या:	FCPF099N65S3
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
डाटा शीट:	FCPF099N65S3 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SuperFET® III
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	650 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	99mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.5V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	57 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2.31 pF @ 400 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	43W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220F
पैकेज / मामला	TO-220-3 Full Pack

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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