SPD06N60C3ATMA1

निर्माता भाग संख्या:	SPD06N60C3ATMA1
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
डाटा शीट:	SPD06N60C3ATMA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CoolMOS™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	600 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6.2A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	750mOhm @ 3.9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.9V @ 260µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	31 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	620 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	74W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO252-3-1
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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