TK60F10N1L,LXGQ

निर्माता भाग संख्या:	TK60F10N1L,LXGQ
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSVIII-H
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	100 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	60A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6.11mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.5V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	60 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	4320 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	205W (Tc)
परिचालन तापमान	175°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220SM(W)
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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