IXTA08N100D2HV

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1000 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	800mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	0V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	21Ohm @ 400mA, 0V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	325 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	Depletion Mode
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	60W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-263HV
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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