TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

निर्माता भाग संख्या:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
डाटा शीट:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSVI
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	104mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	19 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	+10V, -20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	890 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	27W (Tc)
परिचालन तापमान	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DPAK+
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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	TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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