SCTW90N65G2V

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी SCTW90N65G2V chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	650 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	90A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	18V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	25mOhm @ 50A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	157 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम)	+22V, -10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3300 pF @ 400 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	390W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	HiP247™
पैकेज / मामला	TO-247-3

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 551

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	SCTWA30N120 STMicroelectronics
	SCTWA10N120 STMicroelectronics
	SCTW90N65G2V STMicroelectronics
	SCTWA35N65G2VAG STMicroelectronics
	SCTWA20N120 STMicroelectronics
	SCTW70N120G2V STMicroelectronics
	SCTWA50N120 STMicroelectronics
	SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
	SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics
	SCTW100N65G2AG STMicroelectronics

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।