IPD65R250E6XTMA1

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी IPD65R250E6XTMA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CoolMOS™ E6
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	650 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	16.1A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	250mOhm @ 4.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.5V @ 400µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	45 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	950 pF @ 1 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	208W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO252-3
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	IPD60N10S4L12ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R1K5CEAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R650CEBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R360P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD65R600E6TR Rochester Electronics
	IPD60R950C6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R600CPATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R3K3C6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R600CPBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD60R180P7SAUMA1 IR (Infineon Technologies)

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।