SSM3K35MFV(TPL3)

निर्माता भाग संख्या:	SSM3K35MFV(TPL3)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
डाटा शीट:	SSM3K35MFV(TPL3) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	π-MOSVI
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	180mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.2V, 4V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3Ohm @ 50mA, 4V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	±10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	9.5 pF @ 3 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	150mW (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	VESM
पैकेज / मामला	SOT-723

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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