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निर्माता भाग संख्या: | SI5402DC-T1-GE3 |
उत्पादक: | Vishay / Siliconix |
विवरण का हिस्सा: | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
डाटा शीट: | SI5402DC-T1-GE3 डाटा शीट |
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
भेजने का स्थान: | Hong Kong |
शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
प्रकार | विवरण |
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श्रृंखला | TrenchFET® |
पैकेज | Tape & Reel (TR) |
भाग की स्थिति | Obsolete |
FET प्रकार | N-Channel |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 30 V |
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4.9A (Ta) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर) | 4.5V, 10V |
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 1V @ 250µA (Min) |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | - |
फ़ीचर फ़ीचर | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 1.3W (Ta) |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 1206-8 ChipFET™ |
पैकेज / मामला | 8-SMD, Flat Lead |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
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FedEx द्वारा यूएस $40।
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