BSS87H6327XTSA1

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SIPMOS™
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Not For New Designs
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	240 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	260mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6Ohm @ 260mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.8V @ 108µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	97 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-SOT89-4-2
पैकेज / मामला	TO-243AA

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