NTB60N06LT4G

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	60A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	16mOhm @ 30A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	65 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3.075 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2.4W (Ta), 150W (Tj)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	D2PAK
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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