TPS1100D

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	15 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.6A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.7V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	180mOhm @ 1.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5.45 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	+2V, -15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	791mW (Ta)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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