NTD5C688NLT4G

निर्माता भाग संख्या:	NTD5C688NLT4G
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK
डाटा शीट:	NTD5C688NLT4G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	7.5A (Ta), 17A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	27.4mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DPAK (SINGLE GAUGE)
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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