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IR (Infineon Technologies) / IRF6708S2TR1PBF

IRF6708S2TR1PBF

निर्माता भाग संख्या: IRF6708S2TR1PBF
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
डाटा शीट: IRF6708S2TR1PBF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाHEXFET®
पैकेजTape & Reel (TR)
भाग की स्थितिObsolete
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस13A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस8.9mOhm @ 13A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds1010 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)2.5W (Ta), 20W (Tc)
परिचालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजDIRECTFET S1
पैकेज / मामलाDirectFET™ Isometric S1
विकल्प खरीदना

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न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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