SCT3080KLGC11

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	31A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	18V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	104mOhm @ 10A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5.6V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	60 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम)	+22V, -4V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	785 pF @ 800 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	165W (Tc)
परिचालन तापमान	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247N
पैकेज / मामला	TO-247-3

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 1935

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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