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Rochester Electronics / NTD4809NAT4G

NTD4809NAT4G

निर्माता भाग संख्या: NTD4809NAT4G
उत्पादक: Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिObsolete
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस9.6A (Ta), 58A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)4.5V, 11.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस9mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds1.456 pF @ 12 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)1.3W (Ta), 52W (Tc)
परिचालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजDPAK
पैकेज / मामलाTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 193200

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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