Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) / ZXMN10A08GTA
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ZXMN10A08GTA
| निर्माता भाग संख्या: | ZXMN10A08GTA |
| उत्पादक: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| डाटा शीट: | ZXMN10A08GTA डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
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| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| भाग की स्थिति | Active |
| FET प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 100 V |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर) | 6V, 10V |
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2V @ 250µA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 405 pF @ 50 V |
| फ़ीचर फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 2W (Ta) |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | SOT-223 |
| पैकेज / मामला | TO-261-4, TO-261AA |
स्टॉक की अवस्था: 13988
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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