SIA413DJ-T1-GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	12 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	12A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	1.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	29mOhm @ 6.7A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	57 nC @ 8 V
वीजीएस (अधिकतम)	±8V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1800 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerPAK® SC-70-6 Single
पैकेज / मामला	PowerPAK® SC-70-6

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