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IR (Infineon Technologies) / BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1

निर्माता भाग संख्या: BSS209PWH6327XTSA1
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
डाटा शीट: BSS209PWH6327XTSA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाOptiMOS™
पैकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थितिActive
FET प्रकारP-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस630mA (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस550mOhm @ 630mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी1.2V @ 3.5µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs1.3 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)±12V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds115 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)300mW (Ta)
परिचालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजPG-SOT323-3
पैकेज / मामलाSC-70, SOT-323
विकल्प खरीदना

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