Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN22006NH,LQ
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TPN22006NH,LQ
| निर्माता भाग संख्या: | TPN22006NH,LQ |
| उत्पादक: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON |
| डाटा शीट: | TPN22006NH,LQ डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी TPN22006NH,LQ chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | U-MOSVIII-H |
| पैकेज | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| भाग की स्थिति | Active |
| FET प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 60 V |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 9A (Ta) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर) | 6.5V, 10V |
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 4V @ 100µA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| फ़ीचर फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| पैकेज / मामला | 8-PowerVDFN |
स्टॉक की अवस्था: 993
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
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