FCP600N65S3R0

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SuperFET® III
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	650 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	600mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.5V @ 600µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	11 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	465 pF @ 400 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	54W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220-3
पैकेज / मामला	TO-220-3

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स्टॉक की अवस्था: 1600

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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माल ढुलाई गणना

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एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	FCP600N65S3R0 Rochester Electronics
	FCP650N80Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FCP600N60Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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