SCT2280KEC

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	14A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	18V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	364mOhm @ 4A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 1.4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	36 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम)	+22V, -6V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	667 pF @ 800 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	108W (Tc)
परिचालन तापमान	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247
पैकेज / मामला	TO-247-3

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 2075

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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