BSP129L6906HTSA1

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SIPMOS®
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	240 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	350mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	0V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6Ohm @ 350mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 108µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5.7 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	108 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	Depletion Mode
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1.8W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-SOT223-4
पैकेज / मामला	TO-261-4, TO-261AA

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