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ROHM Semiconductor / RSH125N03TB1

RSH125N03TB1

निर्माता भाग संख्या: RSH125N03TB1
उत्पादक: ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
डाटा शीट: RSH125N03TB1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थितिNot For New Designs
FET प्रकारN-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस12.5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)4V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस9.1mOhm @ 12.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs28 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds1670 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)2W (Ta)
परिचालन तापमान-
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज8-SOP
पैकेज / मामला8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

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