IRF1902PBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4.2A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.7V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	85mOhm @ 4A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	700mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±12V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	310 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2.5W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SO
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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